为了实现人工智能系统和自动驾驶系统,处理器必须能够处理更多的数据。然而,基于硅的逻辑器件的局限性在于,随着小型化和集成化的进展,处理成本和功耗会增加。
为了克服这些限制,科学家正在研究基于原子层级薄二维半导体的电子和逻辑器件。然而,与传统的硅基半导体器件相比,通过掺杂二维半导体来控制电学特性非常困难。因此,用二维半导体实现逻辑器件在技术上非常具有挑战。
近日,的韩国科学技术研究院的科学家发表论文称,他们实现了基于二维半导体的电子和逻辑器件,其电化学特性可以通过新的超薄电极材料(cl-snse2)进行控制。
由于费米能级钉扎现象,传统的二维半导体器件仅表现出 n 型或 p 型器件的特性,因此很难实现互补逻辑电路。相比之下,新的电极材料可以通过最大限度地减少与半导体界面的缺陷,以此来自由控制 n 型和 p 型器件的特性。换言之,单个器件同时执行 n 型和 p 型器件的功能。所以,无需分别制造n型和p型器件。
通过使用该器件,联合研究团队成功实现了一种高性能、低功耗、互补的逻辑电路,可以进行nor、nand等逻辑运算。
研究作者hwang博士说:“这一发展将有助于加速下一代系统技术的商业化,例如人工智能系统,由于传统硅半导体的小型化和高集成度带来的技术限制,这些技术一直难以在实际应用中使用。新开发的二维电极材料非常薄,因此具有高透光率和柔韧性,可用于下一代柔性透明半导体器件。”
该研究论文题为“fermi-level pinning-free wse2 transistors via 2d van der waals metal contacts and their circuits”,已发表在advanced materials上。
前瞻经济学人app资讯组
论文原文:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202109899
p9 q0
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